据中国国防科技信息网报道，美国诺格公司研发出新的砷化镓(GaAs)E波段单片微波集成电路(MMIC)高功率放大器APH667和APH668，工作频率分别为81～86GHz和71～76GHz。

　　诺格公司在2004年成为第一家提供E波段半导体器件产品的公司。诺格宇航系统微电子产品和服务部门经理FrankKropschot称，这些新产品是诺格持续推进GaAs技术发展的证明。

　　Frank说“客户通常将E波段的几个MMIC产品组合在一起，以取得更高输出功率。APH667和APH668将显著减少实现这些目标所需的器件数目、简化产品结构和提升性能。”

　　产品描述如下：

　　APH667：0.1mmGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)微波单片集成电路(MMIC)功率放大器，工作频率为81～86GHz，线性增益为17dB，典型饱和输出功率为25.5dBm(0.35W)。

　　APH668：0.1mmGaAsHEMTMMIC功率放大器芯片，工作频率为71～76GHz，线性增益为19dB，典型饱和输出功率为28dBm(0.63W)。

　　APH667和APH668将在2013年第三季度实现预量产，在2013年第四季度实现量产。